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5纳米 文章

三星联合ARM与新思科技开发5纳米制程优化工具

  • 五分彩赌钱网站在半导体先进制程上的进争,目前仅剩下台积电、三星、以及英特尔。不过,因为英特尔以自己公司的产品生产为主,因此,台积电与三星的竞争几乎成为半导体界中热门的话题。
  • 关键字: 三星  ARM  新思科技  5纳米  

后CMOS制程时代 摩尔定律如何再延续30年

  • 摩尔定律(Moore’s Law)虽然是英特尔(Intel)共同创办人Gordon 黑龙江快三正规网投—主页-彩经_彩喜欢arle Moore所创,至今超过50年历史,但在贡献让摩尔定律继续推进的角色上,英特尔绝非最大且唯一的贡献者,如今在半导体晶圆制造业界努力下,摩尔定律正在经历再次演进期。
  • 关键字: 摩尔定律  CMOS制程  5纳米  

台积电5纳米或提前到明年3月量产

  • 台积电7纳米产能爆满之际,5纳米布局也传捷报。在苹果、海思、超微、比特大陆和赛灵思五大客户都决定采用5纳米作为下世代主力芯片制程下,台积电5纳米需求超预期,并大幅上修产能布建,由原订每月5.1万片大增至7万片,增幅近四成,同时加速量产脚步,提前明年3月量产。
  • 关键字: 台积电  5纳米  量产  

吃下苹果 台积电5纳米继续领先三星

  • 自去年底开始,三星就放话要以3纳米制程技术抢走台积电订单,但供应链业者认为其生态系将会逐渐压倒三星。
  • 关键字: 台积电  5纳米  三星  

台积电7纳米+、5纳米进程领先 大联盟营运抗跌

  • 半导体供应链表示,台积电投资大量资金研发最新技术,尽管近期营运遇逆风,但先进制程或厂务设备机器购置依旧按既定计画进行,随著下半年营运回温,设备、材料供应链业绩亦可望同步先蹲后跳。
  • 关键字: 7纳米+  5纳米  台积电  

狠甩三星,台积电推出5纳米开放创新平台设计架构

  • 台积电制程技术领先幅度持续扩大,3日正式宣布在开放创新平台(Open Innovation Platform;OIP)之下推出5纳米设计架构的完整版本,协助客户实现支持下一世代先进行动及高效能运算应用产品的5纳米系统单芯片设计,目标锁定具有高成长性的5G与人工智能(AI)市场。
  • 关键字: 5纳米  台积电  

IBM用迄今最新工艺制成5纳米芯片

  • 五分彩赌钱网站  摩尔定律在20年前就被唱衰,但直到现在,半导体工程师们仍然发扬钉子精神,从方寸之地腾挪出无限空间。        IBM公司研究团队6月在日本京都宣布,其在晶体管的制造上取得了巨大的突破——在一个指甲大小的芯片上,从集成200亿个7纳米晶体管飞跃到了集成300亿个5纳米晶体管。五分彩赌钱网站   半导体行业一直致力于打造5纳米节点替代方案。IBM此次宣布的最新“全包围门”结构,被认为是晶体管的未来;即将投入生产的5纳米芯片,将使用工艺成本有所降低
  • 关键字: IBM  5纳米  

台积电启动5纳米建厂计划 月产能有望上看9~10万片

  • 五分彩赌钱网站  晶圆代工龙头台积电14日召开季度例行董事会,会中决议通过资本预算约1,298亿元(新台币,下同),其中包括将投入逾505亿元兴建厂房的资本支出,正式启动5纳米新厂的建厂计划。   设备业者指出,台积电位于台湾地区南科园区内的5纳米新厂总投资金额上看2,000亿元,要赶在2019年上半年完成建厂、下半年进入试产,2020年正式量产。   台积电昨天召开董事会,会中决议核准资本预算约新台币1298亿元,包括兴建厂房资本预算约505亿元,其他项目资本预算约793亿元,用来扩充及升级先进制程产能、扩充先进
  • 关键字: 台积电  5纳米  

台积电提出3至5纳米的先进制程投资蓝图:2020年动工 2022年量产

  •   台积电持续在中国台湾地区投资先进制程,台科技部长杨弘敦 6 日证实,台积电预计将斥资 5,000 亿元在南科高雄园区筹建 3 纳米、5 纳米制程,新厂将可望在 2020 年动工、2022 年量产。   每 4 年一次的台湾科学技术会议 6 日登场,杨弘敦在会中透露,台积电已提出 3 至 5 纳米制程的先进制程投资蓝图,中国台湾地区科技部认为南科高雄园区最适合,台积电该计划需 50 至 80 公顷土地,规划将在 2020 年动工、2022 年量产,年营业额估计约 2,000 亿元,可创造约 1 万个就
  • 关键字: 台积电  5纳米  

5纳米制程技术挑战重重 成本之高超乎想象

  •   半导体业自28纳米进步到22/20纳米,受193i光刻机所限,必须采用两次图形曝光技术(DP)。再进一步发展至16/14纳米时,大多采用finF黑龙江快三正规网投—主页-彩经_彩喜欢T技术。如今finF黑龙江快三正规网投—主页-彩经_彩喜欢T技术也一代一代升级,加上193i的光学技术延伸,采用SADP、SAQP等,所以未来到10纳米甚至7纳米时,基本上可以使用同样的设备,似乎己无悬念,只是芯片的制造成本会迅速增加。然而到5纳米时肯定是个坎,因为如果黑龙江快三正规网投—主页-彩经_彩喜欢UV不能准备好,就要被迫采用五次图形曝光技术(FP),这已引起全球业界的关注。   而对于更先进5纳米生产线来说,至今业界
  • 关键字: 5纳米  finF黑龙江快三正规网投—主页-彩经_彩喜欢T  

Intel宣布一项技术突破 内存加工工艺可缩小到5纳米

  •   英特尔和芯片技术公司Numonyx本周三发布了一项新技术.这两家公司称,这种新技术将使非易失性存储器突破NAND闪存的20纳米的极限,使加工工艺缩小到5纳米,从而更加节省成本.   英特尔研究员和内存技术开发经理Al Fazio星期三向记者解释说,这种技术产生的堆叠内存阵列有可能取代目前DRAM内存和NAND闪存的一些工作.这种技术甚至能够让系统设计师把一些DRAM内存和固态内存的一些存储属性缩小到一个内存类.   This image shows phase-change memory bu
  • 关键字: Intel  5纳米  DRAM  NAND  
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5纳米介绍

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